2114 SRAM

De El Museo de los 8 bits
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2114 pinout.svg
NEC uPD2114L
National Semiconductor M2114N
Motorola MCM21L14P45

La 2114 SRAM es la denominación de un chip de memoria RAM estática con Multiplexed I/O que se presenta en un encapsulado DIP18. Tiene 1024 palabras, cada una de 4 bits (4096 bits = 512 bytes). Manufacturada con tecnología NMOS por muchos fabricantes, ha sido ampliamente usada en ordenadores domésticos, máquinas arcade y kits electrónicos.

Diagrama del encapsulado DIL18. Cifras en pulgadas(milímetros)

Dos pines controlan las operaciones en un 2114. Chip Select (/CS) habilita las operaciones de lectura y escritura y controla el TRI–STATING (triestado) en el buffer de salida de datos. Write Enable (/WE) conmuta entre los modos READ y WRITE y también controla el TRI–STATING de la salida. La tabla de verdad siguiente detalla los estados producidos por combinaciones de los controles CS y WE.

CS WE I/O MODO
H X Hi–Z Not Selected
L L H Write 1
L L L Write 0
L H DOUT Read

Durante la sincronización del ciclo de lectura, WE se mantiene alto. Independientemente de CS, cualquier cambio en el código de direcciones provoca que nuevos datos sean direccionados y colocados en el buffer de salida. Sin embargo CS debe estar bajo para que el buffer de salida se habilite y transfiera el dato al pin de salida.

El tiempo de acceso de dirección, tA, es el tiempo requerido para que un cambio en la dirección provoque nuevos datos en el pin de salida, asumiendo que CS ha habilitado el buffer de salida antes de la llegada de datos. Chip Select–to–output delay, tCO, es el tiempo requerido por CS para habilitar el buffer de salida y transferir los datos previamente direccionados al pin de salida. Está permitido operar con CS continuamente bajo.

La escritura ocurre solamente cuando CS y WE están bajos. El ancho mínimo de pulso de escritura, tWP, se refiere a esta región baja simultánea. Los tiempos de preparado y almacenaje de datos se miden con respecto al control que se levanta primero. Sucesivas operaciones de escritura pueden realizarse manteniendo CS bajo. WE es utilizado entonces para para terminar las escrituras entre cada cambo de dirección. Alternativamente, WE puede mantenerse bajo para sucesivas operaciones de escritura y CS se usa para terminar las operaciones entre cambios de direcciones.

En cualquier caso, WE o CS (o ambos) deben estar altos durante los cambios de dirección para prevenir operaciones de escritura erróneas.

Equipos con 2114

Chips compatibles

Unidades nanosegundos Voltios mA Voltios pF Voltios/mA pF
Fabricante Modelo tACC
max
tCAC
max
tOE
max
tOH
min
tOD
max
tWP
min
tDS
min
tDH
min
tWD
min
tWR
max
vDD o
vCC
iDD
max
vIL
max
vIH
min
cI
max
VOL/I VOL
max
VOH/I VOH
min
Co
max
Fujitsu MB8114E 200 50 60 120 120 0 0 4,75~5,25 100 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Fujitsu MB8114EL 200 50 60 120 120 0 0 4,75~5,25 70 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Fujitsu MB8114N 300 50 80 150 150 0 0 4,75~5,25 100 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Fujitsu MB8114NL 300 50 80 150 150 0 0 4,75~5,25 70 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Fujitsu MB8148-55 55 55 15 5 20 40 20 0 0 5 4,50~5,50 180 0,8 2,1 5 0,4/8 2,4/4 7
Fujitsu MB8148-70 70 70 15 5 20 50 25 0 0 5 4,50~5,50 180 0,8 2,1 5 0,4/8 2,4/4 7
Fujitsu MB8148L-55 55 55 15 5 20 40 20 0 0 5 4,50~5,50 125 0,8 2,1 5 0,4/8 2,4/4 7
Fujitsu MB8148L-70 70 70 15 5 20 50 25 0 0 5 4,50~5,50 125 0,8 2,1 5 0,4/8 2,4/4 7
Fujitsu MBM2114A-10L 100 70 15 30 75 70 0 0 4,50~5,50 40 0,8 2,1 5 0,4/8 2,4/4 5
Fujitsu MBM2114-15L 150 70 15 40 90 90 0 0 4,50~5,50 40 0,8 2,1 5 0,4/8 2,4/4 5
Hitachi HM 472114
Intel P2114
Mitsubishi M5L2114LP 450 450 50 20 200 200 0 0 0 4,50~5,50 65 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Mitsubishi M5L2114LP-2 200 200 50 20 120 120 0 0 0 4,50~5,50 65 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Mitsubishi M5L2114LP-3 300 300 20 50 20 150 150 0 0 0 4,50~5,50 65 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Mitsubishi M5L2114LS 450 450 50 20 200 200 0 0 0 4,50~5,50 65 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Mitsubishi M5L2114LS-2 200 200 20 50 20 120 120 0 0 0 4,50~5,50 65 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Mitsubishi M5L2114LS-3 300 300 20 50 20 150 150 0 0 0 4,50~5,50 65 0,8 2 5 0,4/2,1 2,4/0,2 8
Motorola MCM2114P20 200 200
MOS Technology MCS2114
MOS Technology MPS2114
National Semiconductor MM2114N 150 150
NEC µPD2114LC 450 450
NTE NTE2114 300 300
Sanyo LC3514A
Solid State Scientific SCM2114AL
Toshiba TMM314APL-1

Enlaces externos